Transistor, également dénommé un transistor de jonction bipolaire, l’équivalent de deux jonction PN diode dos à dos. Avant trous de nœud EB biais injectés de la région de l’émetteur, au cours de laquelle plus de la limite du trou pour atteindre le collecteur et la CB en barrière de jonction polarisation inverse sous l’action du champ électrique atteint la région de collecteur, forment le IC courant de collecteur. Dans le circuit de transistor de commun-émetteur, lance dans le circuit de base est la course à biaiser la tension baisse est très faible.
500 ω collector il y est une chute de tension à travers la résistance de charge VRC = 10mA * 500 ω = 5V, chute de tension du transistor entre le collecteur et l’émetteur pour VCE = 5V, si une base alternante empilement dans le circuit de polarisation faible courant IB, apparaît dans le circuit collecteur un correspondant alternatif courant IC, c/IB = bêta, transistor bipolaire #39 ; amplification de courant s est réalisée.
La plupart du collecteur de biaiser la tension entre l’émetteur et est ajouté sur le collecteur reverse biaisé. VBE étant très petit, donc la base actuelle est environ IB = 5V / 50k ω = 0.1mA. Si le transistor #39 ; émetteur s current amplifier le coefficient β = IC/IB = 100, collecteur courant IC = beta * IB = 10mA.